①Sic+2O2→Sio2+CO2 ②Sic+4H2O=Sio2+4H2+CO2
致使元件中SiO2含量逐渐增多,电阻随之缓慢增加,为之老化。如水蒸气过多,会促进SiC氧化,由②式反应产生的H2与空气中的O2结合H2O再反应产生恶性循环。降低元件寿命。
为合理使用硅碳棒应避免硅碳棒与下列有害气体接触:
氢气(H2)能使元件机械强度降低。
氮气(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化,1350℃以上与SiC发生反应,使SiC分解。
氯气(Cl2)在100℃以上便于sic发生反应,1200℃以上能使Sic完全分解。
SiC在氧中,在1000度以下不被氧化,在1350度时显著地氧化。在1350-1500度之间形成Si02,而Si02在1700度左右熔化。所生成的SI02在熔化时覆盖在SiC的上面,阻碍SiC再继续氧化。